关于衬底的那些事儿
制作LED芯片，衬底的选用是首要问题。蓝宝石(Al2O3)，碳化硅(SiC)，硅(Si)为目前最常用的三种衬底材料，三者呈鼎足之势。碳化硅衬底，几乎是CREE的独门技术，凭借着CREE在LED业界的地位，碳化硅衬底虽然体量不大，但其影响力却毫不逊色于蓝宝石。碳化硅衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件，弥补了大功率芯片的空挡。【更多】
目前，蓝宝石和碳化硅已经形成了LED全行业的布局，伴随着LED行业的发展，基于蓝宝石衬底的技术发展变缓，再加上其成本高昂、专利壁垒等问题，众多专家与工程师开始寻求性价比更高的解决方案，而硅衬底则被业界寄予了厚望，尤其是饱受专利问题折磨的中国企业，对硅衬底有着更为迫切的需求。2014年7月初，东芝 (Toshiba)宣布计划于今2014年内正式大规模量产白光LED产品，目标为将其月产能大幅扩增至现行的150倍。而东芝所生产的白光LED……【更多】
晶能光电硅衬底LED技术荣获国家技术发明一等奖
1月8日，国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行，由南昌大学、晶能光电(江西)有限公司、中节能晶和照明有限公司共同完成的“硅衬底高光效氮化镓基蓝色发光二极管项目”荣获国家技术发明一等奖。项目主要完成人包括晶能光电联合创始人、南昌大学副校长江风益教授，晶能光电副总裁孙钱博士，晶能光电联合创始人、CEO及晶和照明创始人王敏博士等人。【更多】
据晶能光电孙钱博士介绍，硅衬底LED技术仍有巨大的发展空间，可望获得大尺寸外延片，以便结合集成电路6寸和8寸的装备以及成熟的产线组织和管理经验，进行大规模自动化制造，从而提高生产效率，使LED产品综合成本进一步大幅度降低，这或将影响全球LED行业，改变竞争格局。江风益教授进一步展望：“基于蓝光LED加荧光粉的照明技术路线，还只是一种过渡性技术方案。”【更多】
硅衬底LED缘何能获“国家科学技术发明一等奖”？
我们采用新一代的应力调控技术消除了硅衬底上外延生长GaN薄膜易产生裂纹的难题，而且有效过滤了位错等缺陷，GaN的晶体质量与蓝宝石平片衬底上生长的水平相当。在硅基GaN的材料平台上，我们研发了高效的量子阱生长技术与P型掺杂技术。硅基GaN的LED的芯片制备采用了垂直结构，具体包括高效反射镜、及氮面粗化技术，显著提高了LED的取光效率。【更多】
江西省近日印发打造南昌光谷、建设江西LED产业基地实施方案，方案显示产业规模目标为，到2020年全省LED产业主营业务收入在2015年基础上翻两番，总量超过1000亿元，力争占全国的15%，其中南昌达到500亿元;技术分布中硅基LED技术全产业链达到500亿元。除应在LED领域之外，衬底SiC、GaAs/ GaN、Si还广泛应用在太阳能、军工、通信、集成电路等，市场空间巨大。【更多】
硅衬底技术揽获国家大奖 LED产业终迎中国标准
硅衬底项目的主要参与人员孙钱表示，“从国家战略层面讲，硅衬底技术是我国拥有自主知识产权的技术路线，可以构建中国完全自主的LED产业”。据介绍，国家技术发明一等奖判定标准为：属国内外首创的重大技术发明或创新，技术经济指标达到了同类技术领先水平，且推动相关领域技术进步且已产生显著的经济或者社会效益。自LED发明以来，在照明应用领域存在三条LED照明技术路线，分别是蓝宝石衬底(AI2O3)……【更多】
自主创新的全球视野，决定了中国LED产业的使命不是对国际标准的仰望，而是要把中国的标准变成世界的标准。尽管目前市场上主流技术还是蓝宝石衬底技术，但在江西省“十三五”规划里，依托硅衬底技术大力发展LED产业群是重头戏之一。江西省当地LED企业已经率先布局。“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”由江西省申报，项目主要参与人员包括南昌大学的江风益教授、晶能光电(江西)有限公司的孙钱等人。【更多】
在政府以及资本的双重扶持下，硅衬底终于迈到了新的节点，其大规模化应用指日可待。可以想见，“中国芯”将不再是纸上谈兵，或许在不久的将来可与蓝宝石、碳化硅三分天下，全球LED产业格局将被重塑。此项技术属于中国自主研发，或将构建中国LED产业标准，成为中国LED产业的下一个突破口。另一方面，硅衬底LED目前的应用仍然尚未成熟，未来的产业化步伐仍然任重道远。
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